《 CHIPSET FEATURES SETUP 》
CMOS 셋업 초기 화면에서 CHIPSET FEATURES SETUP에 선택 막대를 위치하
고 를 누르면 칩셋 특성에 대한 설정을 하는 곳이 나옵니다. 여기
서 하드웨어에 보다 접근한 여러가지 설정을 할 수 있습니다. 이 항목은
자신이 사용하는 칩셋에 따라 상당히 다를텐데, 저는 HX 칩셋의 메인보드
를 사용합니다.
각 항목 사이의 이동은 방향키를 사용하며, 키를 눌러 화면의 색깔을
변경할 수 있습니다. 모든 항목의 설정값 변경은 , 키
를 사용하거나 오른쪽 키패드의 , 키를 사용합니다. , ,
키를 통해 각각 이전 값, 바이오스 기본값, 셋업 기본값을 읽어 들일
수 있습니다. 설정이 끝난 후 초기 화면으로 나가려면 키를 누르세
요.
① Auto Configuration : Enabled
DRAM Timing : 60ns
DRAM RAS# Precharge Time : 3
DRAM R/W Leadoff Timing : 6/5
Fast RAS# To CAS# Delay : 3
DRAM Read Burst (EDO/FPM) : x222/x333
DRAM Write Burst Timing : x222
Turbo Read Leadoff : Disabled
DRAM Speculative Leadoff : Enabled
Turn-Around Insertion : Disabled
칩셋 파라미터 최적값으로 자동 설정하려는 경우 Auto Configuration
을 `Enabled`로 지정하고 DRAM Timing을 60ns이나 70ns 중에서 선택합
니다. 요사이의 메모리는 대부분 60ns의 EDO 램이니 60ns으로 지정하
면 됩니다. 만일 Auto Configuration을 `Disabled`로 지정하면 DRAM
Timing은 나타나지 않으며 위의 나머지 항목을 사용자가 일일이 자신
의 손으로 지정해야 합니다. 하드웨어에 대한 전문 지식이 없는 사용
자라면 Auto Configuration을 `Enabled`로 선택하는 것이 좋겠죠.
DRAM RAS# Precharge Time에서는 RAS#(Row Address Strobe) 신호에 할
당된 CPU 클럭의 수를 선택하는데, 이는 DRAM 리프레시를 위하여 전하
를 충분히 충전할 수 있도록 지정하여야 합니다. 만일 충분한 시간을
지정하지 않으면 리프레시 불완전으로 데이터를 잃을 수 있습니다. 3
클럭과 4클럭 중에서 선택할 수 있습니다.
DRAM R/W Leadoff Timing에서는 메모리로 부터 읽기나 쓰기를 하는 경
우의 시작 시간을 지정합니다. 7/6과 6/5 중에서 선택할 수 있는데,
6/5이라면 읽기는 6번째 클럭에서 시작하고, 쓰기는 5클럭에서 시작한
다는 의미겠죠.
DRAM이 리프레시 완료되었을 때, 행과 열은 분리되어 번지지정됩니다.
Fast RAS to CAS Delay 항목은 RAS(Row Address Strobe)부터
CAS(Column Address Strobe)로의 전이 시점을 지정합니다. 2와 3 중에
서 선택할 수 있습니다.
DRAM Read Burst (EDO/FPM) 항목에서는 EDO(Extended Data Output) 메
모리나 FPM(Fast Page Mode) 메모리로 부터 읽기를 하는 경우의 타이
밍을 지정합니다.
- x222/x333
- x333/x444
- x444/x444
중에서 선택할 수 있는데, 만일 설치된 DRAM이 지원하는 것보다 낮은
타이밍 숫자를 지정하면 메모리 오류를 발생할 수 있습니다. DRAM
Write Burst Timing 역시 쓰기라는 점만 다를 뿐 나머지는 동일합니
다.
만일 Turbo Read Leadoff 항목을 `Enabled`로 지정하면 캐시없는
50-60 MHz 또는 하나의 뱅크를 갖는 EDO DRAM 시스템에서 동작 개시
사이클을 줄이고 성능을 최적화 합니다.
DRAM 콘트롤러에게 CPU가 보내는 읽기 요청에는 원하는 데이터가 있는
메모리 번지를 포함하고 있습니다. 만일 DRAM Speculative Leadoff 항
목이 `Enabled`로 지정되어 있으면 번지를 완전히 디코드하기 조금 전
에 DRAM 콘트롤러가 읽기 명령을 메모리에 넘겨줍니다. 따라서 읽기
처리 속도가 빨리집니다.
Turn-Around Insertion을 `Enabled`로 지정하면 back-to-back DRAM 사
이클의 선회에서 칩셋이 별도의 클럭을 삽입합니다. (이게 무슨 뜻일
까? -_-;)
② ISA Clock : PCICLK/4
AT 버스의 속도를 지정하는 항목입니다. CPU 클럭 속도의 1/3과 1/4
중에서 선택할 수 있는데, CPU 버스 주파수가 60 Mhz, 66 MHz의 경우
에는 1/4, 50 Mhz, 55 MHz에서는 1/3로 지정합니다.
③ System BIOS Cacheable : Disabled
Video BIOS Cacheable : Enabled
시스템 바이오스와 비디오 바이오스의 캐시 기능 사용 여부를 지정합
니다. 만일 `Enabled`로 지정하면 F0000H-FFFFFH 번지에 있는 시스템
바이오스 롬과 C0000H-C7FFFH 번지에 있는 비디오 바이오스 롬의 캐시
기능을 허용합니다. 캐시를 가능하게 하면 물론 속도는 빨라지지만 만
일 어떤 프로그램이 이 영역에 쓰기를 시도한다면 시스템 오류가 발생
할 가능성이 생깁니다.
④ 8 Bit I/O Recovery Time : 1
16 Bit I/O Recovery Time : 1
I/O 회복 기구가 ISA 버스를 위해 PCI 기원의 I/O 사이클 사이에 버스
클럭 사이클을 더하는데, 이런 지연 시간은 ISA 버스보다 PCI 버스가
너무 빠르기 때문에 일어납니다. 위의 두 항목을 통해 8비트와 16비트
I/O에 회복 시간(버스 클럭 사이클 단위로)을 추가합니다.
⑤ Memory Hole At 15M-16M : Disabled
ISA 어뎁터 롬을 위해 이 영역을 예약할 수 있습니다. 만일 이 영역이
예약되어 있으면 캐시되지 않습니다. 일부의 인터페이스 카드들이 자
신의 롬 번지를 이 영역으로 매핑하는데 그런 경우에만 `Emabled`로
지정합니다.
⑥ Peer Concurrency : Enabled
Peer Concurrency란 동시에 하나 이상의 PCI 드라이버가 활성화 될 수
있다는 것을 의미합니다.
⑦ Chipset Special Features : Enabled
만일 이 항목이 `Disabled`로 지정되면 자신의 칩셋이 초기의 인텔
82430FX 칩셋처럼 동작합니다.
⑧ DRAM ECC/PARITY Select : ECC
자신의 시스템에 장착된 DRAM의 타입에 따라 ECC(Error-Correcting
Code)나 Parity 중에서 선택합니다. 두가지 모두 오류를 검출하는 방
법인데 Parity의 경우 오류 교정이 불가능한 반면 ECC에서는 교정이
가능합니다.
⑨ Memory Parity/ECC Check : Auto
만일 `Auto`로 지정하면 ECC나 Parity DRAM의 존재를 검출했을 경우
바이오스가 자동으로 메모리 검사를 허용합니다. `Disabled`로 지정하
면 메모리 검사를 하지 않으며, `Enabled`로 지정하면 메모리 검사를
합니다.
지금은 패리티 칩이 없는 모듈램을 사용하는 경우가 많으므로
`Disabled`로 하거나 `Auto`로 지정하여야 문제가 발생하지 않습니다.
⑩ Single Bit Error Report : Enabled
위의 항목에서 만일 ECC로 설정된 경우 이 항목을 `Enabled`로 지정하
면 DRAM에 교정할 수 있는 단일 비트 오류가 발생했을 경우 시스템이
CPU에 보고합니다.
⑪ L2 Cache Cacheable Size : 64MB
만일 64 MB 이상의 시스템 램을 사용할 경우에만 512 MB로 지정합니
다.
