일본 NEC가 차세대 메모리의 하나로 주목받는 `자기저항식 랜덤 액세스 메모리`(MRAM)의 512킬로비트(Kb) 시제품을 제작해냈다고 IT뉴스사이트 인터넷뉴스닷컴이 11일 보도했다.

MRAM은 전기도체의 저항이 주변 자기장에 따라 변화하는 자기저항효과(magneto resistance effect)를 이용해 정보를 저장하는 방식으로, 단일 트랜지스터 위에 자기터널접합 구조를 갖는 `MTJ 셀'로 구성된다.

이같은 MRAM은 DRAMㆍ플래시메모리 등 기존 메모리반도체에 비해 △정보 기록ㆍ재생 속도가 빠르고 △셀 크기가 작아 집적도가 높으며 △소비전력이 적고 △전원을 차단해도 기록된 정보가 보존되는 비휘발성을 갖는 등 많은 장점을 갖고 있어, 앞으로 휴대폰ㆍ모바일 정보기기ㆍ각종 컴퓨터에 사용될 차세대 메모리로 각광받을 전망이다.

NEC 연구진은 "MRAM은 기존 플래시메모리가 정보를 약 100만번 반복 기록하면 그 수명을 다하는 데 비해 이론상 무한정 반복 기록이 가능하며, 기존 CMOS(상보성금속산화물) 반도체와 쉽게 통합 생산할 수 있는 장점을 가진다"고 강조했다. NEC는 기존 0.25㎛ CMOS 공정에 0.6㎛ MRAM 공정을 결합해 이번 시제품을 제작했다고 밝혔다.

NEC는 이날 미국 샌프란시스코에서 진행중인 IEEE 국제고체회로학회 학술대회(ISSCC:International Solid-States Circuits Conference)에서 이같은 성과를 발표했다. 이 회사는 지난해 9월부터 도시바와 공동으로 MRAM 기술개발팀을 구성해 이 기술의 연구개발에 주력해오고 있다.


주범수기자